CdTe(素子、イメージングモジュール)

　CdTe半導体検出器は直接変換型検出器です。入射された放射線を直接電気信号へ変換しますので、空間分解能が高く、高い光電子変換率が得られます。
一方、間接変換型検出器では入射された放射線は、検出器表面にあるシンチレータで一旦光に変換されます。
その光をフォトセンサー（CCDやCMOS）で検知しイメージングします。従って、間接変換型では一度光に変換するため効率が悪く、且つ、光の拡散がおこり分解能を下げる原因になります。

　CdTe半導体検出器は熱雑音が少なく他の直接変換型の半導体検出器のように冷却をする必要がありません。

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