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炭化水素汚染除去のためのリモートプラズマクリーナー |
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EUVリソグラフィ、マスク検査、電子ビーム直接描画のためのコンタミネーション管理 |
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関連製品 |
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SEMI-KLEEN Sapphire ダウンストリームプラズマクリーナー |
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汚染の問題がEUVリソグラフィの導入を遅らせている EUVリソグラフィ（EUVL）は、次世代リソグラフィの候補として数十年前から提案されています。しかし、EUVの光子のエネルギーはほぼ100eVであり、このような高エネルギーでは、EUVリソグラフィは電子ビームシステムと同様に汚染の問題に悩まされます。EUVLでは、結像光学系やマスクブランクスして多層膜ミラー（MLM）を使用する必要があります。しかし、1nmのカーボンが付着すると、片面でのEUVの反射率が1.4%以上も低下します。炭化水素やその他の汚染源は、EUVリソグラフィの大きな課題の1つです。 |
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電子ビームリソグラフィーの炭化水素汚染問題 電子ビームリソグラフィシステムでは、静電レンズや磁気レンズで一次電子が表面に接触しなくても、二次電子や後方散乱電子が着地するアパーチャーなどに炭化水素の付着が発生することがあります。また、光学カラムに沿った炭素汚染は、深刻なチャージ（帯電）問題を引き起こす場合があります。チャージによる光学収差が原因となり、システムの解像度は日に日に低下していきます。また、チャージが原因で、ビームの偏向が発生することもあります。マスクレスリソグラフィーのいわゆるパターンジェネレータに炭素汚染が堆積すると、そのコントラストは著しく低下することがあります。 |
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真空装置内の汚染はリモートプラズマでクリーニングできる 従来のリソグラフィシステムとは異なり、次世代リソグラフィは真空下で動作する必要があります。従来のガスブローによる汚染対策では、次世代リソグラフィシステムには対応できません。また、真空中でのポリマーレジストのアウトガスは、炭化水素汚染物質の大きな原因となります。これらの要因により、次世代リソグラフィ（NGL）ではコンタミネーションの管理が非常に困難になっています。
SEMI-KLEENプラズマクリーナーは、半導体製造装置用に特別に設計されています。この設計は、半導体産業のクリーン度要件に準拠しています。ガス供給システム、プラズマチャンバー、Oリングシールからの潜在的な粒子汚染の問題に特別な注意を払っています。メーカーであるPIE Scientific社は、次世代リソグラフィシステムのための信頼性の高いコンタミネーション管理ソリューションを開発するために、主要な研究機関や産業界と協力しています。 |
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