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					  リモートプラズマクリーナー『EM-KLEEN』『SEMI-KLEEN 』は、分離されたプラズマソースとコントローラで構成され、ソースはFE-SEMやXPS, EPMAなどの試料チャンバーもしくは試料交換室などに接続されます。接続された試料チャンバーやチャンバー内の試料をプラズマクリーニングすることで、高真空装置におけるカーボン系コンタミネーションを予防・除去します。 
 
					 
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ターボ分子ポンプ領域で運転可
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					プラズマソースを設置した試料室の真空度が、0.1mTorr~2Torrレンジでプラズマ点火が可能です。 ※設置する装置や設置箇所(試料室/交換室)、使用目的によって条件は大きく異なります。詳細は別途お問合わせ下さい。 | 
秀逸なユーザーI/Fデザイン
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超Highスピードクリーニング
| 使用済みのアパーチャープレートのように、クリーニング対処物がひどく汚染されている場合、プラズマソースとアダプタの間の「ブースターチューブ」内でクリーニングすることで、超高速クリーニングが可能です。 |   | 
SafeモードとExpertモード
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					高電圧がかかる検出器を備えたFE-SEMのような分析装置で、ユーザーが装置自体に不慣れな場合、より安全にクリーニングを実施するためのモードが「Safeモード」です。 | 
選べるコントローラ
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| 19"ラックモデル(オプション) | ポータブル卓上モデル | 
マスフロー制御ガス混合器(オプション)
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					Airを導入して行うプラズマクリーニングは、活性酸素による酸化反応によります。 
					■ タッチスクリーンI/F |   | 
	※ 酸素ガス、水素ガスを使用する場合は、プラズマ耐性の真空ポンプを使用して下さい。
	※ 酸素ガス, 水素ガス等の使用は、ガスの安全マニュアルに沿ってご使用下さい。
製品ラインナップ
|   | EM-KLEEN | 
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					リモートタイプのベーシックモデル。一般的な高真空チャンバー向け。
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|   | SEMI-KLEEN quartz | 
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					半導体インライン装置向け。ガス導入ラインにnmサイズのパーティクルを除去する超微細フィルターを搭載。 ※また、自動インピーダンスマッチング機能も有り。SEMI-KLEEN Sapphireのように、特定用途向けにカスタマイズも可能です。例えば、SEMI-KLEENプラズマクリーナーは、ALDシステムでエッチング/デポジション用途として使用されています。 | |
|   | SEMI-KLEEN sapphire | 
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					反応性ガス・腐食性ガスに適応するため、プラズマチューブにサファイアを使用。 (H2, NH3, NF3, CF4 etc) | 
製品仕様
| 製品 | EM-KLEEN | SEMI-KLEEN quartz | SEMI-KLEEN sapphire | 
| 用途 | SEM, TEM, XPS, SIMS, AES | SEM, TEM, XPS, SIMS, AES, CD-SEM, EB-Litho | ALD, EUV-Litho for NF3, CF4, NH3, H2, HF, H2S プラズマ | 
| チャンバー | 石英ガラスチューブ | サファイアチューブ | |
| プラズマ方式 | ICP(Inductively Coupled Plasma)[誘導結合型] | ||
| RF出力*1(@13.56MHz) | 0~75 W | 0~75 W(オプション:0~150 W) | |
| 動作真空度(ソース内) | 7 mTorr ~ 1 Torr | ||
| 真空チャンバー真空度 (ダウンストリーム側)*2 | 0.1 mTorr ~ 1 Torr | ||
| 真空計 | マイクロピラニゲージ内蔵、大気 ~ 1 e- 4 Torr | ||
| インピーダンス整合 | 固定 | 固定 or オート | |
| 腐食性ガス | 不可 | 可 | |
| ソースマウント形状 |  NW / KF40(オプション:CF 2.75”[CF70]) | ||
| PC制御 | RS232 / RS485,Windows.Net Framework 4.0以上 | ||
| コントローラ | 可搬型、4 inch タッチパネル、シリアル通信ポート(D-sub9) ソース ~ コントローラ間ケーブル 4.5 m | ||
| プラズマソースサイズ | φ86×168 mm 1 kg | 140×105×190 mm 2.2 kg | 250×380×130 mm 2 kg | 
| 標準コントローラサイズ | W 305×D 340×H 200 mm,7 kg | ||
| 150W コントローラサイズ | - | W 220×D 380×H 130 mm,8 kg | |
| 電源 | AC 90~250 V, 50/60 Hz,400 W以下 | ||
	*1 RF出力:日本国内では、初期設定でRF出力を49Wまでに制限しています。
	 “高周波利用設備申請書”の届出により、制限を解除し、75W(オプション:150W)まで使用可能となります。
*2 真空装置の仕様(特にチャンバーサイズやポンプスピード)やソースの設置個所、使用目的や使用方法により大きく異なります。
PIE Scientific 社 <プラズマ処理によるコンタミネーション除去/表面処理>

 
				



